IRF9630PBF
1个P沟道 耐压:200V 电流:4A
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描述
P沟道,-200V,-6.5A,800mΩ@-10V
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
IRF9630PBF商品编号
C2627商品封装
TO-220AB包装方式
管装
商品毛重
2.64克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 800mΩ@10V,3.9A | |
功率(Pd) | 74W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 29nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 700pF | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 40pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):800 毫欧 @ 3.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 25V
功率 - 最大值:74W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.5A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):800 毫欧 @ 3.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 25V
功率 - 最大值:74W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
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