温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF9630PBF
1个P沟道 耐压:200V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- P沟道,-200V,-6.5A,800mΩ@-10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF9630PBF
- 商品编号
- C2627
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：800 毫欧 @ 3.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：700pF @ 25V
功率 - 最大值：74W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：800 毫欧 @ 3.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：700pF @ 25V
功率 - 最大值：74W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交11单