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IRF3710STRLPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:57A
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- 描述
- N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF3710STRLPBF
- 商品编号
- C2616
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.343克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 57A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
先进的HEXFET®功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²Pak适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。通孔版本（IRF3710L）适用于薄型应用。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定