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IRF820PBF
N沟道 MOSFET,电流:1.6A,耐压:500V
- 描述
- N沟道,500V,2.5A,3Ω@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF820PBF
- 商品编号
- C2603
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(1000个/管，最小起订量 50 个)个
起订量：50 个1000个/管
总价金额：
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