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IRLML5203TRPBF
1个P沟道 耐压:30V 电流:3A
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- 描述
- P沟道,-30V,-3A,98mΩ@-10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLML5203TRPBF
- 商品编号
- C2592
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这些P沟道MOSFET采用先进的加工技术，实现了极低的单位硅面积导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极为高效的器件，可用于电池和负载管理应用。 标准SOT - 23封装中采用了热增强型大焊盘引线框架，从而生产出业界占位面积最小的HEXFET功率MOSFET。这种被称为Micro3™的封装，非常适合印刷电路板空间有限的应用。Micro3的低外形（<1.1mm）使其能够轻松适配超薄应用环境，如便携式电子设备和PCMCIA卡。其热阻和功耗表现极佳。
商品特性
- 超低导通电阻
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 低栅极电荷
- 无铅
- 符合RoHS标准、无卤
应用领域
- 电池和负载管理应用
- 便携式电子设备
- PCMCIA卡