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IRLML2803TRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:1.2A
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- 描述
- N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLML2803TRPBF
- 商品编号
- C2590
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.004克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 540mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV@0.46A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 85pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 标准SOT - 23封装中采用了定制化引线框架，从而生产出业界占位面积最小的HEXFET功率MOSFET。这种被称为Micro3的封装，非常适合印刷电路板空间有限的应用。Micro3封装的低外形（<1.1mm）使其能够轻松适配超薄应用环境，如便携式电子设备和PCMCIA卡。
商品特性
- 超低导通电阻
- 低外形（<1.1mm）
- 快速开关
- 无铅
- 符合RoHS标准、无卤