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AON3814

2个N沟道耐压:20V 电流:6A

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描述: N沟道,20V,6A,17mΩ@4.5V
品牌名称: AOS
商品型号: AON3814
商品编号: C28433
商品封装: DFN-8(2.5x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.106克(g)

商品参数

FET 类型：2 N 沟道（双）共漏
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：17 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：13nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1100pF @ 10V
功率 - 最大值：2.5W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：8-DFN（2.9x2.3）

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	6A
	导通电阻(RDS(on))	17mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	1.1V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	13nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1.1nF
	反向传输电容(Crss)	105pF
	工作温度	-
	配置	-
	输出电容(Coss)	200pF