温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AON3814
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道,20V,6A,17mΩ@4.5V
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AON3814
- 商品编号
- C28433
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
AON3814采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作，同时保持12V的VGS(MAX)额定值。该器件具备ESD保护功能。凭借其共漏极配置，此器件适用于作为单向或双向负载开关。
商品特性
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 可在低至1.8V的栅极电压下工作
- 保持12V的VGS(MAX)额定值
- ESD保护