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SVF4N60F

N沟道,电流:4A,耐压:600V

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描述: N沟道,600V,4A,2Ω@10V，塑封
品牌名称: SILAN(士兰微)
商品型号: SVF4N60F
商品编号: C28532
商品封装: TO-220F-3
包装方式: 管装
商品毛重: 3克(g)

商品参数

商品概述

SVF4N60D/F/T/M 是一款采用士兰微专有 F 型单元高压平面 VDMOS 技术制造的 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件广泛应用于 AC-DC 电源、DC-DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器。

商品特性

4A、600V,RDS(on)(典型值) = 2.0 Ω @ VGS = 10 V
低栅极电荷
低 Crss
快速开关
改善的 dv/dt 能力

应用领域

AC-DC 电源
DC-DC 转换器
H 桥 PWM 电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	4A
	导通电阻(RDS(on))	2Ω@10V
	耗散功率(Pd)	33W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	13nC@10V
	输入电容(Ciss)	433pF
	反向传输电容(Crss)	4.5pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	55pF