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ASDM20N12ZB-R
20V,12A N沟道 MOSFET
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- 描述
- 特性：20V/12A。 超高密度单元设计。 可靠耐用。 可提供无铅产品（符合RoHS标准）。应用：便携式设备和电池供电系统。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM20N12ZB-R
- 商品编号
- C2758218
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.14W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.035nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |