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ASDM30N55E-R
1个N沟道 耐压:30V 电流:55A
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- 描述
- 特性：100% EAS保证。 有绿色环保器件可供选择。 超低栅极电荷。 出色的CdV/dt效应抑制。 先进的高单元密度沟槽技术。应用：逆变器系统中的电源管理
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM30N55E-R
- 商品编号
- C2758221
- 商品封装
- DFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.105nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 305pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如LCD逆变器、计算机电源管理以及需要低在线功率损耗的DC - DC转换器电路。
商品特性
- 在Vgs = 10 V时，RDS(ON) ≤ 22 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 电源管理
- DC/DC转换器
- LCD电视和显示器逆变器
- CCFL逆变器
- 次级同步整流