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ASDM3400ZB-R实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ASDM3400ZB-R

1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A

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描述
特性:高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装。 采用SOT23-3封装。应用:PWM应用。 负载开关
品牌名称
ASDsemi(安森德)
商品型号
ASDM3400ZB-R
商品编号
C2758232
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.039克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
导通电阻(RDS(on))32mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))1.4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)823pF
反向传输电容(Crss)77pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)99pF

商品特性

  • 高密单元设计,实现极低的RDS(ON)。
  • 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF