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ASDM4614S-R
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:7A
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- 描述
- 特性：高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM4614S-R
- 商品编号
- C2758242
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.182克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
ME2333 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理，以及其他电池供电电路。在这些应用中，需要采用超小外形表面贴装封装进行高端开关，同时降低在线功耗。
商品特性
- 在 VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) ≤ 35 mΩ
- 在 VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) ≤ 43 mΩ
- 在 VGS = -1.8 V 时，RDS(ON) ≤ 56 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统-DC/DC 转换器-负载开关-数码静态相机(DSC)-LCD 显示器逆变器
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