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ASDM4406S-R
N沟道 耐压:30V 电流:13A
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- 描述
- 特性：高效率。 低密度电池设计。 先进的沟槽工艺技术。 改善的dv/dt能力。 可靠且耐用。应用：网络。 负载开关
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM4406S-R
- 商品编号
- C2758238
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.191克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 30V、80A
- RDS(ON) = 4.8 mΩ（典型值），VGS = 10 V
- RDS(ON) = 7.5 mΩ（典型值），VGS = 4.5 V
- 先进沟槽技术
- 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用