温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ASDM4406S-R
N沟道 耐压:30V 电流:13A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：高效率。 低密度电池设计。 先进的沟槽工艺技术。 改善的dv/dt能力。 可靠且耐用。应用：网络。 负载开关
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM4406S-R
- 商品编号
- C2758238
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.191克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 高效率
- 低密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 改善的dv/dt能力
- 可靠且耐用
应用领域
- 网络、负载开关
- LED照明