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ASDM3080KQ-R
30V,80A N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：30V，80A。 RDS(ON) = 4.8mΩ（典型值）@ VGS = 10V。 RDS(ON) = 7.5mΩ（典型值）@ VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM3080KQ-R
- 商品编号
- C2758230
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.435克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.56nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 178pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 20 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 33 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理