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ASDM3400ZA-R
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.6A
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- 描述
- 沟槽功率低压MOSFET技术——采用高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM3400ZA-R
- 商品编号
- C2758231
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 823pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 99pF |
商品概述
ME7839S P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路，采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- RDS(ON) ≤ 12mΩ@VGS~~- 10V
- RDS(ON) ≤19mΩ@VGS~~- 4.5V
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统-负载开关-数字相机