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ASDM30N90KQ-R
N沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷。 先进的沟槽技术。 提供出色的导通电阻 RDS(ON)。 高功率和电流处理能力。应用：负载开关。 PWM 应用
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM30N90KQ-R
- 商品编号
- C2758223
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.449克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 253pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 307pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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