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ASDM30P11TD-R
1个P沟道 耐压:30V 电流:55A
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- 描述
- 特性：低FOM RDS(on)Qgd。 100%雪崩测试。 易于使用/驱动。 符合RoHS标准。应用：适配器和充电器的电源开关电路。 电池保护充放电
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM30P11TD-R
- 商品编号
- C2758227
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.482nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 309pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理