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ASDM20P09ZB-R
1个P沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) < 21 mΩ @ VGS =-4.5 V。 RDS(ON) < 28 mΩ @ VGS =-2.5 V。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM20P09ZB-R
- 商品编号
- C2758219
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低Crss（典型值23pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥的电子灯镇流器
- 不间断电源（UPS）