STL12N65M2
N通道,电流:5A,耐压:650V
- 描述
- N沟道650 V、0.62 Ohm典型值、5 A MDmesh M2功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL12N65M2
- 商品编号
- C2688600
- 商品封装
- PowerFLAT-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 410pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。凭借其条形布局和改进的垂直结构,该器件呈现出低导通电阻和优化的开关特性,使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(COSS)特性
- 经过100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用