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NCEP028N12LL
1个N沟道 耐压:120V 电流:230A
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- 描述
- 该系列器件采用超级沟槽 II 技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCEP028N12LL
- 商品编号
- C2686733
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.955克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 380W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 213nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 870pF |
商品概述
NCEP11N10AK采用了超级沟槽II技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻和栅极电荷极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- 漏源电压 = 100V，漏极电流 = 55A
- 栅源电压 = 10V时，漏源导通电阻 = 11.5 mΩ（典型值）
- 栅源电压 = 4.5V时，漏源导通电阻 = 14.5 mΩ（典型值）
- 出色的栅极电荷×漏源导通电阻乘积（FOM）
- 极低的漏源导通电阻
- 工作温度175°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试！
- 100%进行ΔVds测试！
应用领域
- DC/DC转换器
- 非常适合高频开关和同步整流