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PJM2309PSC
P沟道,电流:4A,耐压:60V
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- 描述
- 特性：VDS =-60V，ID =-4A。 RDS(ON) = 180mΩ (最大值) @-10V。 无卤和无锑。应用：负载开关和PWM应用。 电源管理
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM2309PSC
- 商品编号
- C2683747
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V；280mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
ST3424是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -60V
- 漏极电流(ID) = -4A
- 导通电阻(RDS(ON)) = 180 mΩ(最大值),栅源电压为 -10 V 时
- 无卤无锑
应用领域
- 负载开关及脉宽调制(PWM)应用
- 电源管理
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