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ST2317S23RG
1个P沟道 耐压:40V 电流:5A
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- 描述
- ST2317S23RG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他电池供电电路，这些应用需要在非常小尺寸的表面贴装封装中实现高端开关和低在线功率损耗
- 品牌名称
- STANSON(司坦森)
- 商品型号
- ST2317S23RG
- 商品编号
- C2682896
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品概述
ST2341SRG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低在线功率损耗的场合。该产品采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- 20V / -3.2A，VGS = - 4.5V时，RDS(ON) = 45 mΩ（典型值）
- 20V / -2.0A，VGS = - 2.5V时，RDS(ON) = 53 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOT - 23封装设计
应用领域
- 手机和笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路