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DG2012EDL-T1-GE3

DG2012E 高性能单刀双掷模拟开关

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描述: 高性能单刀双掷模拟开关，适用于1.8V至5.5V操作，具有低导通电阻和快速切换速度。
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: DG2012EDL-T1-GE3
商品编号: C2673178
商品封装: SC-70-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.1克(g)

商品参数

商品概述

DG2012E是一款高性能单刀双掷（SPDT）模拟开关，设计用于单电源轨1.8 V至5.5 V的工作电压。该器件采用高密度CMOS技术制造，在5 V电源下可实现1 Ω的低导通电阻、低功耗和快速开关速度。 DG2012E能够处理模拟和数字信号，并允许幅值高达V+的信号双向传输。其控制逻辑输入电压可超过V+，最高达5.5 V。它具有先断后通的开关性能，-3 dB带宽典型值为160 MHz。该开关内置了断电保护电路，可防止在断电状态下从COM引脚到V+出现异常电流。每个输出引脚可承受超过7 kV（人体模型）的电压。工作温度范围为-40 ℃至+85 ℃。 DG2012E采用SC-70-6L封装。

商品特性

低开关导通电阻（1 Ω）
1.65 V至5.5 V单电源工作
断电模式下的隔离功能
控制逻辑输入电压可超过V+
低电荷注入（5 pC）
低总谐波失真
先断后通开关
闩锁性能按JESD 78标准超过300 mA
ESD测试 - 人体模型7000 V（JS-001） - 充电器件模型1000 V（JS-002）

应用领域

智能手机和平板电脑
消费电子和计算机设备
便携式仪器
医疗设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	模拟开关/多路复用器
	开关电路	2:1
	通道数	1
	工作电压	1.8V~5.5V
	导通时间(ton)	35ns

	属性	参数值
	导通电阻(Ron)	2Ω
	关闭时间(toff)	30ns
	工作温度	-40℃~+85℃
	导通电容(Con)	52pF
	带宽	160MHz