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DG612EEN-T1-GE4

1.4 pC 电荷注入, 100 pA 泄漏, 四通道 SPST 开关

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描述: DG612E 包含四个独立选择的 SPST 开关。它们在单电源或双电源下工作，具有低电荷注入和低泄漏电流。
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: DG612EEN-T1-GE4
商品编号: C2673283
商品封装: X-QFN-16(1.8x2.6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

DG611E、DG612E和DG613E包含四个可独立选择的单刀单掷（SPST）开关。与行业标准的DG611和DG611A系列相比，它们的性能有所提升。DG611E的所有开关通常为闭合状态，DG612E的所有开关通常为断开状态，而DG613E有2个常开开关和2个常闭开关。它们设计为可在3 V至16 V单电源或±3 V至±8 V双电源下工作，并在+3 V、+5 V和±5 V电源下进行了全面的参数规定。当使用+5 V或±5 V电源时，所有控制逻辑输入的逻辑高电平保证为2 V；当使用+3 V电源时，为1.4 V。 DG611E、DG612E和DG613E开关在两个方向上的导通性能相同，并支持轨到轨模拟信号处理。 1.4 pC的低电荷注入，加上极低的开关电容（3 pF）、快速的开关速度（导通时间/关断时间为23 ns/14 ns）和出色的3 dB带宽（1 GHz），使这些产品非常适合精密仪器、高端数据采集、自动测试设备和高速通信应用。工作温度范围为-40 ℃至+125 ℃。DG611E、DG612E和DG613E提供16引脚SOIC、TSSOP和节省空间的1.8 mm × 2.6 mm miniQFN封装。

商品特性

3 V至16 V单电源或±3 V至±8 V双电源
低电荷注入（典型值1.4 pC）
85 ℃时漏电流<0.25 nA
低开关电容（关态电容典型值3 pF）
在3 V、5 V单电源和±5 V双电源下全面规定参数
低电压，与2.5 V CMOS/TTL兼容
1 GHz 3 dB带宽
出色的隔离性能（10 MHz时为-59 dB）
出色的串扰性能（10 MHz时为-74 dB）
在-40 ℃至+85 ℃和-40 ℃至+125 ℃温度范围内全面规定参数
16引脚SOIC、TSSOP和miniQFN封装（1.8 mm × 2.6 mm）

应用领域

精密仪器
医疗仪器
自动测试设备
高速通信应用
高端数据采集
采样保持应用
采样保持系统

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	属性	参数值
	商品目录	模拟开关/多路复用器
	开关电路	1:1
	通道数	4
	工作电压	3V~16V；-8V~-3V；3V~8V
	导通时间(ton)	23ns

	属性	参数值
	导通电阻(Ron)	72Ω
	关闭时间(toff)	14ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	带宽	1GHz