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DG419BDY-T1-E3

精密单片式四路单刀单掷CMOS模拟开关

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描述: DG417B、DG418B、DG419B 单片 CMOS 模拟开关专为实现模拟信号的高性能切换而设计。DG417B 系列集低功耗、低泄漏、高速、低导通电阻和小尺寸等特性于一身，非常适合需要高性能且能有效利用电路板空间的便携式和电池供电工业应用。为实现高电压额定值和卓越的开关性能，DG417B 系列采用了 Vishay Siliconix 的高压硅栅（HVSG）工艺
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: DG419BDY-T1-E3
商品编号: C2673364
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.24108克(g)

商品参数

商品概述

DG417B、DG418B、DG419B 单片 CMOS 模拟开关旨在实现高性能的模拟信号切换。DG417B 系列结合了低功耗、低泄漏、高速、低导通电阻和小尺寸的特点，非常适合需要高性能且能有效利用电路板空间的便携式和电池供电工业应用。为实现高电压额定值和卓越的开关性能，DG417B 系列采用了 Vishay Siliconix 的高压硅栅（HVSG）工艺。对于采用单刀双掷（SPDT）配置的 DG419B，可保证先断后通。外延层可防止闩锁效应。每个开关在导通时双向导通性能相同，在关断时可阻断高达电源电压的信号。如真值表所示，DG417B 和 DG418B 对相反的控制逻辑电平做出响应。

商品特性

±15 V 模拟信号范围
导通电阻 - RDS(on)：15 Ω
快速开关动作 - tON：110 ns
与 TTL 和 CMOS 兼容
MSOP - 8 和 SOIC - 8 封装
符合 RoHS 指令 2002/95/EC

应用领域

精密测试设备
精密仪器仪表
电池供电系统
采样保持电路
硬盘驱动器

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	属性	参数值
	商品目录	模拟开关/多路复用器
	开关电路	2:1
	通道数	1
	工作电压	-15V~15V
	导通时间(ton)	155ns

	属性	参数值
	导通电阻(Ron)	25Ω
	关闭时间(toff)	80ns
	工作温度	-40℃~+85℃
	导通电容(Con)	50pF