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TC7SB66CFU,LF(CT
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- 描述
- TC7SB66CFU和TC7SB67CFU是低导通电阻、高速CMOS单比特总线开关。这些总线开关能够以极小的传播延迟实现连接或断开，同时保持CMOS低功耗的特性。TC7SB66CFU需要将输出使能（OE）输入设置为低电平，以使输出进入高阻态；而TC7SB67CFU则需要将输出使能（OE）输入设置为高电平，以使输出进入高阻态。这些总线开关采用P沟道MOS和N沟道MOS结构，这意味着这些器件适用于模拟信号传输。所有输入均配备保护电路，以防止器件受到静电放电的影响。
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TC7SB66CFU,LF(CT
- 商品编号
- C2673289
- 商品封装
- SSOP-5-1.25mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.487克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 工作电压 | 1.65V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(Ron) | 4Ω | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 导通电容(Con) | 10pF |
商品概述
TC7SB66CFU和TC7SB67CFU是低导通电阻、高速CMOS单比特总线开关。这些总线开关能够以极小的传播延迟实现连接或断开，同时保持CMOS低功耗的特性。 TC7SB66CFU需要将输出使能（OE）输入设置为低电平，以使输出进入高阻态；而TC7SB67CFU则需要将输出使能（OE）输入设置为高电平，以使输出进入高阻态。 这些总线开关采用P沟道MOS和N沟道MOS结构，这意味着这些器件适用于模拟信号传输。 所有输入均配备保护电路，以防止器件受到静电放电的影响。
商品特性
- 通过AEC-Q100（版本H）1级认证
- 宽工作温度范围：Topr = -40至125 ℃
- 工作电压：VCC = 1.65至5.5 V
- 导通电容：CI/O = 10 pF（典型值，开关导通）@VCC = 5.0 V
- 导通电阻：RON = 4 Ω（典型值）@VCC = 4.5 V，VIS = 0 V
- 封装：USV
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
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