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STP11NM60FD
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
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- 描述
- N沟道 600V 11A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP11NM60FD
- 商品编号
- C283629
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDMesh™将低导通电阻和快速开关的优势与固有的快速恢复体二极管相结合。因此，强烈推荐用于桥接拓扑，特别是零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 高dv/dt和雪崩能力
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 严格的工艺控制和高生产良率
应用领域
- 开关应用
- TO-220
- TO-220FP
- D2PAK
- I2PAK