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STP80NF06
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 这款功率MOSFET是意法半导体（STMicroelectronics）独特的“单特征尺寸™”条形工艺的最新成果。由此制成的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、坚固的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具有出色的制造可重复性。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP80NF06
- 商品编号
- C283533
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.85nF@25V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新研发成果。由此产生的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具备卓越的制造可重复性。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低阈值驱动
应用领域
- 开关应用