温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 285pF |
商品概述
MDmesh™ 是一种全新的突破性功率 MOSFET 技术，它将多漏极工艺与 PowerMESH™ 横向布局相结合。由此生产出的产品具有极低的导通电阻、极高的 dv/dt 以及出色的雪崩特性和动态性能。
商品特性
- 高 dv/dt 和雪崩能力
- 100% 雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用