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STP7NK40Z
1个N沟道 耐压:400V 电流:5.4A
- 描述
- 这些高压器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的齐纳保护 N 沟道功率 MOSFET，是成熟的 PowerMESH™ 的优化版本。除了显著降低导通电阻外，这些器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的 dv/dt 能力。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP7NK40Z
- 商品编号
- C283633
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 535pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
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