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STP5NK100Z
1个N沟道 耐压:1kV 电流:3.5A
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- 描述
- 全新的 SuperMESH™ 系列功率 MOSFET 是意法半导体（ST）成熟的基于条形结构的 PowerMESH™ 布局设计进一步改进的成果。除了显著降低导通电阻外，该器件还具备出色的 dv/dt 能力，即使在要求最为严苛的应用中也能确保实现最佳性能。SuperMESH™ 器件进一步丰富了现有的一系列创新型高压 MOSFET 产品，其中包括具有开创性的 MDmesh™ 产品
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP5NK100Z
- 商品编号
- C283632
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.75V@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.154nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 106pF |
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