温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJM09P20DF
P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低栅极电荷和RDS(ON)。 VDS = -20V，ID = -9A。 RDS(ON) < 26mΩ @ VGS = -4.5V。应用：负载开关和电源管理。 PWM应用
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM09P20DF
- 商品编号
- C22470325
- 商品封装
- DFN2x2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 168pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 低栅极电荷和低导通电阻RDS(ON)
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(on) < 26 mΩ
- DFN2x2-6L封装
应用领域
- 负载开关和电源管理
- PWM应用