温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJM3415PDFA
P沟道增强型功率MOSFET 2个P沟道 耐压:20V 电流:4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低栅极电荷和低RDS(on)。ESD保护(HBM)高达2KV。VDS = -20V，ID = -4A。RDS(on) < 50mΩ @ VGS = -4.5V。应用：PWM应用。负载开关
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM3415PDFA
- 商品编号
- C22470333
- 商品封装
- DFN2x2A-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1811nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 114.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 121.3pF |
商品特性
- 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)
- 静电放电(人体模型)防护能力高达2kV
应用领域
- 脉宽调制应用
- 负载开关
- 电源管理
其他推荐
- W06681-1
- Y07013301587224852
- TP4056
- LM2596SX-ADJ-JSM
- LM2596SX-5.0-JSM
- LM2596SX-3.3-JSM
- LM2596SX-12-JSM
- HEF4093BT-JSM
- LM2596S-12-JSM
- LM2596T-ADJ-JSM
- LM2596T-5.0-JSM
- LM2596T-3.3-JSM
- LM2596T-12-JSM
- LM2576SX-ADJ-JSM
- LM2576SX-5.0-JSM
- LM2576SX-3.3-JSM
- LM2576SX-12-JSM
- LM2576S-12-JSM
- LM2576T-5.0-JSM
- LM2576T-3.3-JSM
- LM2576T-12-JSM