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PJM04DP30DFA
双通道P沟道增强模式功率MOSFET N沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷和低导通电阻。 VDS = -30V，ID = -4.1A时，VGS = -10V，RDS(ON) < 60mΩ。应用：PWM应用。 便携式设备负载开关
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM04DP30DFA
- 商品编号
- C22470330
- 商品封装
- DFN2x2A-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |