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PJM05DN20DFA
双N沟道增强型功率MOSFET N沟道 耐压:20V 电流:5.5A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷和RDS(ON)。 VDS = 20V，Id = 5.5A时，VGS = 4.5V，RDS(ON) < 28mΩ。应用：DC/DC转换器。 便携式设备的负载开关
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM05DN20DFA
- 商品编号
- C22470332
- 商品封装
- DFN2x2A-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计，实现低 RDS(on)
- 潮湿敏感度等级 1 级
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无卤
应用领域
- 功率开关应用-不间断电源-DC-DC 转换器
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