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PJM16P12DF
P沟道增强型功率MOSFET P沟道 耐压:12V 电流:16A
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- 描述
- 特性：低栅极电荷和RDS(ON)。 VDS = -12V，ID = -16A。 RDS(ON) < 18mΩ @ VGS = -4.5V。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM16P12DF
- 商品编号
- C22470328
- 商品封装
- DFN2x2A-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 680pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 39mΩ（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强模式：Vth = 3.2 至 4.5 V
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 单端反激或双晶体管正激拓扑-电脑电源、PD 适配器、液晶和等离子电视以及 LED 照明