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PJMT23DFA
N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
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- 描述
- 特性：小表面贴装封装。 ESD保护（HBM）高达2KV。 N沟道MOSFET，VDS = 20V，ID = 0.8A，RDS(on) < 300mΩ（VGS = 4.5V时）。 PNP晶体管，VCBO = -40V，VCEO = -25V。应用：锂电池充电。 便携式设备中的其他电源管理
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJMT23DFA
- 商品编号
- C22470329
- 商品封装
- DFN2x2A-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 56pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
2N10是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。
商品特性
- 小型表面贴装封装
- 静电放电(HBM)防护能力高达 2KV
- N 沟道 MOSFET:VDS = 20 V,ID = 0.8 A,VGS = 4.5 V 时 RDS(on) < 300 mΩ
- PNP 晶体管:VCBO = -40 V,VCEO = -25 V
应用领域
- 锂电池充电
- 便携式设备的其他电源管理