TPH3R704PL,L1Q(M
硅N沟道MOS(U-MOSIX-H)
- 描述
- 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 8.1 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 20.2 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.0 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)。 增强模式:Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH3R704PL,L1Q(M
- 商品编号
- C22455092
- 商品封装
- DSOP-8-EP-5.0mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.257172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 92A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@200uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品特性
~~- 低导通电阻-快速开关速度-低电压驱动,使该器件非常适合便携式设备-驱动电路易于设计-易于并联
应用领域
- 接口连接-开关应用
