- 引脚图
- 焊盘图
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TK20J50D(STA1,E,S)
硅N沟道MOS型场效应晶体管，适用于开关稳压器应用
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK20J50D(STA1,E,S)
- 商品编号
- C22457294
- 商品封装
- SC-65
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.334克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
FDN338P是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品FDN338P为无铅产品。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.22 Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 8.5 S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10\mu A(最大值)(VDS = 500V)
- 增强型模式:Vth = 2.0 至 4.0V(VDS = 10V,ID = 1mA)
应用领域
- 开关稳压器应用