TK20J50D(STA1,E,S)

FDN338P是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品FDN338P为无铅产品。

• -20V，栅源电压（VGS） = -4.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） = 82毫欧（典型值）
• 栅源电压（VGS） = -2.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） = 118毫欧（典型值）
• 栅源电压（VGS） = -1.8V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） = 180毫欧（典型值）
• 快速开关
• 高密度单元设计，实现低导通状态漏源电阻（RDS(on)）
• 材料：无卤素
• 可靠耐用
• 雪崩额定
• 低泄漏电流

-PWM应用-负载开关-便携式/台式电脑的电源管理-DC/DC转换