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TK16G60W,RVQ(S
耐压:600V 电流:15.8A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.16 Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7 至 3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.79 mA）。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK16G60W,RVQ(S
- 商品编号
- C22458004
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V@0.79mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.16 Ω（典型值）
- 采用超级结结构：DTMOS
- 栅极开关易于控制
- 增强型：V_th = 2.7 至 3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.79 mA）
应用领域
- 开关稳压器