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15N10(XBLW)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

15N10(XBLW)

1个N沟道 耐压:100V 电流:15A

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描述
类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流(Id): 15A
品牌名称
XBLW(芯伯乐)
商品型号
15N10(XBLW)
商品编号
C22451419
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.55克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))112mΩ@10V
耗散功率(Pd)34.7W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26.2nC@10V
输入电容(Ciss)1.535nF
反向传输电容(Crss)37pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)60pF

商品概述

TO-263 塑封封装的 N 沟道场效应管。 N 沟道 MOSFET,采用 TO-263 塑料封装。

商品特性

  • VDS = 100 V,ID = 120 A
  • 10 V 时,RDS(on) ≤ 5.5 mΩ(典型值 4.7 mΩ)
  • 4.5 V 时,RDS(on) ≤ 7.0 mΩ(典型值 6.0 mΩ)
  • 无卤产品。

应用领域

  • 高频开关和同步整流-电池管理系统(BMS)-电机-高频开关和同步整流-电池管理系统(BMS)-电机

数据手册PDF