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AON7544(XBLW)
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 100A
- 品牌名称
- XBLW(芯伯乐)
- 商品型号
- AON7544(XBLW)
- 商品编号
- C22451440
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
AO4805采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -8.5A
- 当栅源电压VGS~~- 10V时，导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
- 当栅源电压VGS~~- 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 28mΩ
应用领域
- 脉宽调制（PWM）应用
- 负载开关
- 双P沟道MOSFET