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Si7850DP(XBLW)
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 30A
- 品牌名称
- XBLW(芯伯乐)
- 商品型号
- Si7850DP(XBLW)
- 商品编号
- C22451450
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.128克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
SI2333采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V，漏极电流ID = -7A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 22mΩ
- SOT-23-3L封装
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
- 电源管理
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