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AO3422(XBLW)
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:4.5A
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- 描述
- 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 4.5A
- 品牌名称
- XBLW(芯伯乐)
- 商品型号
- AO3422(XBLW)
- 商品编号
- C22451428
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 695pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品概述
HAONR21321采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 4.5A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 75mΩ
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 90mΩ
应用领域
-高功率和大电流处理能力-符合无铅产品要求-表面贴装封装-PWM应用-负载开关-电源管理