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AOD603(XBLW)
双N+P沟道增强模式MOSFET 1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 类型: N沟道+P沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 20A
- 品牌名称
- XBLW(芯伯乐)
- 商品型号
- AOD603(XBLW)
- 商品编号
- C22451439
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.372克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.027nF |
商品特性
- VDS = 60V,ID = 20A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 34mΩ
- VDS = -60V,ID = -15A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 86mΩ
应用领域
-无线充电-升压驱动器-无刷电机