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AOD409(XBLW)
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 50A
- 品牌名称
- XBLW(芯伯乐)
- 商品型号
- AOD409(XBLW)
- 商品编号
- C22451434
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.374克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.635nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 141pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 224pF |
商品概述
8205A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20 V，漏极电流ID = 6 A
- 栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 25mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理