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AO6800(XBLW)
2个N沟道 耐压:30V 电流:4.5A
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- 描述
- 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 5A
- 品牌名称
- XBLW(芯伯乐)
- 商品型号
- AO6800(XBLW)
- 商品编号
- C22451432
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 233pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 44pF |
商品概述
20N03是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 20N03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试保证，具备完整功能可靠性认证。 超低栅极电荷 100%雪崩能量（EAS）保证 提供绿色环保器件 出色的CdV/dt效应抑制 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩能量（EAS）保证
- 提供绿色环保器件
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术