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AO4485(XBLW)
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:40V 电流:13A
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- 描述
- 类型: P沟道 漏源电压(Vdss): 40V 连续漏极电流(Id): 13A
- 品牌名称
- XBLW(芯伯乐)
- 商品型号
- AO4485(XBLW)
- 商品编号
- C22451430
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
AOD409采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -60V，ID = -50A
- RDS(ON) < 24 mΩ（@VGS = 10V）
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源