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30N06(XBLW)
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 30A
- 品牌名称
- XBLW(芯伯乐)
- 商品型号
- 30N06(XBLW)
- 商品编号
- C22451420
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.555克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.378nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86pF |
商品概述
SOP-8 塑封封装的 P 沟道增强型场效应晶体管。
商品特性
- VDS（V） = -30V；ID = -16A（VGS = ±20V）
- RDS（ON）@ -10V ≤ 8.0mΩ（典型值 7.0mΩ）
- RDS（ON）@ -4.5V ≤ 15mΩ（典型值 10.3mΩ）
- 无卤产品。
应用领域
- 用于笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。