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AO3400(XBLW)
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 5.8A
- 品牌名称
- XBLW(芯伯乐)
- 商品型号
- AO3400(XBLW)
- 商品编号
- C22451422
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
AO3407采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 5.8A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 28mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 34mΩ
- SOT-23-3L封装
应用领域
-高功率和电流处理能力-符合无铅产品要求-表面贴装封装-PWM应用-负载开关-电源管理-N沟道MOSFET