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HGG040205100N2P

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：5.5A@8/20us

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描述: 此款双向ESD保护二极管专为单通道电路定制，5V工作电压下稳定可靠，5.5A峰值电流处理能力强劲，有效抵御静电冲击。10pF低电容设计，确保高速信号无延迟，是保护各类精密电子设备如移动通讯、物联网模块等的理想选择，提升电路抗静电干扰能力，保障系统运行安全。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HGG040205100N2P
商品编号: C22440375
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.007833克(g)

商品参数

商品概述

HGG040205100N2P可保护敏感半导体组件，避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它使设计人员能够在不适合使用阵列的应用中灵活地保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L（SOD - 882）

商品特性

低泄漏
响应时间通常小于1 ns
符合人体模型3级ESD评级
IEC61000 - 4 - 2 4级ESD保护
这些是无铅器件
我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤素

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	12V
	峰值脉冲电流(Ipp)	5.5A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	66W@8/20us
	击穿电压(VBR)	8V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	300nA
	通道数	单路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	10pF